日报讯 人工智能的复旦飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的团队编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。实现复旦大学周鹏-刘春森团队的纳秒前期研究表明，二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上，程闪存规成实现颠覆◎性的模集纳秒级超快存储闪存技术。然而，复旦如何实现规模集成、团队走向真正实际应用◣仍极具挑战。实现

　　记者获悉，纳秒该团队从界面工☆程出发，程闪存规成在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列①集成验证，模集并证明了其超快特性可延伸█至亚10纳米。复旦近日，团队相关成果以《二维超快闪存♀的实现规模集成工艺》为题发表于《自然·电子学》。

　　复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院研究员刘春森和微电子学院教授周鹏介绍，团队开发了超界面工程技↙术，在规模化【二维闪存中实现了具备原子级平整→度的异质界面，结合高精度的表」征技术，显示集成工艺显著优于国际水平。通过严格的直流存储窗↓口、交流脉冲存储性能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，纳秒级非ω易失编程速度下良率高达98%，这一良率已高于国际半导体技术路线图对闪存制①造89.5%的良■率要求。

　　同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工◆艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，是当前国际最短沟道闪存】器件，并突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒∑　超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。该工作将推动超快颠覆性闪存技术的▼产业化应用。（记者 颜维琦）