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                我科学家发明新型“热发射极”晶体管

                来源:金年会·诚信至上金字招牌  更新时间:2024-08-17 11:51:20


                  科技日报沈阳8月15日电(记者郝晓明)15日,热发射极记者从中国科学院金属研究所获悉,科学该所研究员刘驰、明新孙东明和中国科学院院士成会明主导的型晶研究团队合作,发明出一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的体管“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的热发射极“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果15日发表在学术期刊《自然》上。科学

                  晶体管是明新集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的型晶不断缩小,其进一步发展的体管技术挑战日益增多。

                  研究人员介绍,热发射极就像水龙头的科学阀门▲可以调节水流的大小,晶体管也能够调控由电子或空穴等载流子形成电流的明新大小。通常情况↑下,型晶载流子与周围环境处于热平衡状态时称为“稳态”,体管但通过电场加速等方法,可以提升载流子的能量,使其成为“热载流子”。如果能够有效操控这种高能的热载流子,并提高其浓度,将有望进一步提升晶体管的速度和功能。

                  研究团队通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。

                  据介绍,这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特▃基结组成。载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载∞流子,从而导致电流急剧增加。这一设计使晶体管电流每变化一个数量级,所需的电压变化小于1毫伏,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限。此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻,展示出其在多值逻辑计算中的应用潜力。

                  研究人员表示,该研究通过可控调制热载流子来提高电流密度,开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员。

                 


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